Numero di Prodotto del Fabbricante:
TSM210N06CZ C0G
Product Overview
Produttore:
Taiwan Semiconductor Corporation
Numero di Parte:
TSM210N06CZ C0G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CHANNEL 60V 210A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 210A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12894250
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TSM210N06CZ C0G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Taiwan Semiconductor
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
210A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7900 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TSM210N06CZ C0G-DG
TSM210N06CZC0G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXFP220N06T3
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
20
NUMERO DI PEZZO
IXFP220N06T3-DG
PREZZO UNITARIO
3.54
TIPO DI SOSTITUZIONE
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